PL Mapping光致發(fā)光掃描系統

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石墨烯納米材料
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PL Mapping 光致發(fā)光掃描系統

 

PL Mapping光致發(fā)光掃描系統

 

應用領(lǐng)域:

常規的光致發(fā)光測量;
III-V族化合物半導體材料光致發(fā)光測量;
熒光性;
LD, LED外延晶片PL掃描測量;

儀器特點(diǎn):

高品質(zhì)及中等價(jià)位的PL掃描系統(高性?xún)r(jià)比);
波長(cháng)范圍寬廣(UV-VIS-NIR, 350nm to 2.2um);
噪聲低,高PL信號探測;
設計緊湊,易于調諧;
各種激發(fā)激光源可選;
易于發(fā)現峰及FWHM;

儀器規格:

1 、光致發(fā)光樣品腔
10x M-Plan鏡頭顏色修正,波長(cháng)范圍:350-1800nm
工作距離:30.5mm, 20mm FL, z軸可調
系統空間分辨率:10微米(1微米選配)
鏡子帶孔洞作為激光束及PL信號的通道
Iris光圈用于激光束的調整
可變ND過(guò)濾器用于激光能量的控制(99% to 2%)
10毫米孔洞PL信號校準鏡頭
馬達控制的XY臺,大速度30毫米/秒,1微米掃描分辨率
外延晶片樣品盤(pán)
包括高分辨控制器和電纜

2、IG512近紅外光譜儀,900-1700nm, 512像素, InGaAs陣列
25um x 500um像素尺寸,14bits, 2.5MHz數字轉換器, f/4, 40mm FL
探測范圍:900nm全譜,300gr/mm, 1um blaze grating
包括SMA905, 400um多模光纖,1米長(cháng)

3、EPP2000-VIS(350-1150nm)用于紫外-可見(jiàn)光,衍射光柵光譜儀
f/4, symX-Czerny-turner類(lèi)型
分辨率:1.6nm (50um狹縫,@600gr/mm grating)
包括2048像素CCD探測器,12bit數字轉換器
600gr/mm grating
接口:USB-2.0
SMA905光纖光學(xué)輸入,0.22NA,400um多模光纖,1米長(cháng)

4、激光器
LDM830100CWA 830nm Solid State Laser
FKL532.50.CWA.L 532nm Solid State Laser
IK3501R-G, 325nm HeCd Laser
Other lasers wavelength(s) (e.g. 266nm, 488nm, 405nm, 514nm, 785nm)

PL Mapping光致發(fā)光掃描系統


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